등가 회로

전기화학 임피던스 분광법 (EIS)은 복잡하고 데이터를 분석하는 것은 까다로운 작업입니다. 등가 회로와 피팅 알고리즘을 사용하면 분석을 더 쉽고 이해하기 쉽고 시각적으로 만들 수 있는 일반적인 방법입니다.

등가 회로는 전기화학 전지의 시스템과 동일한 회로입니다. 총 임피던스에 대한 각 효과 또는 기여도는 전기 구성 요소로 대체됩니다. 예를 들어 산화 환원 활성 종을 포함하는 전해질과 접촉하는 금속 전극은 임피던스에 기여하는 4가지 효과가 있습니다.

그림 1 | 회로도에 표시된
워버그 소자를 포함한 랜들스 회로의 회로도, 보드 및 나이퀴스트 플롯

전류는 작동 전극과 반대쪽 전극 사이의 용액을 통과해야 하며, 이는 오믹 저항, 즉 용액 저항처럼 작용합니다.

전류는 전극을 통해 두 가지 방식으로 흐를 수 있습니다. 하나는 전기 화학 반응, 즉 설로션에서 전극으로 또는 그 반대로 전극을 옮기는 것입니다. 다른 하나는 커패시터처럼 작동하는 전기화학 이중층을 충전하는 것입니다.

마지막 기여는 확산 제한 또는 전극 앞의 활성 종의 고갈입니다. 고갈의 결과는 기존의 전자 부품으로는 시뮬레이션할 수 없습니다. 새로운 가상의 요소인 바르부르크 임피던스가 만들어졌습니다.

이 결과 회로를 랜들스 회로라고 합니다.

특히 부식 연구 중 다른 시스템의 등가 회로는 종종 더 복잡합니다. 그러나 등가 회로의 이론적 값을 실제 측정 데이터에 맞추면 전체 셀에 대한 다양한 구성 요소의 기여도를 계산할 수 있습니다.

그림 2 | 필름 아래에 상당한 저항이 있는 디스본딩 코팅의 등가 회로

등가 회로 및 피팅에 대한 자세한 내용은 지식창고의 해당 문서에서 확인할 수 있습니다.

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